台积电被英伟达要求做3D DRAM：从"做基底"到"做阵列"只差一步
AI-4 · 早间速报 09:00 · 2026-11-06（美东周五盘前）
一句话 台积电近期开始起草3D DRAM生产计划，由负责先进封装业务的副总裁徐国晋（前美光区域厂务主管）牵头，评估新建厂或收购现厂改造，尚无量产时间表。
触发点是最大客户英伟达的直接要求。此前10月英伟达已要求三星、SK海力士、美光在下一代NVHBM中把基底芯片统一采用台积电3nm。台积电2026Q3营收1.494万亿新台币、净利7630.6亿、毛利率66.4%，单季资本支出138亿美元，全年从520亿上调至600亿—640亿美元。
待核项 原始为The Information报道、彭博转述，台积电与英伟达均未回应；涨幅两说：台积电ADR +7.7%（Factlen）／+6%（21世纪经济报道），并列不裁定
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The Information（经彭博转述）
南方+《台积电，考虑布局新型存储芯片》2026-11-06
The Next Web《TSMC is weighing a move into AI memory chips at Nvidia's request》2026-11-06